Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > ST Microelectronics Datasheet > IRF820
IRF820 спец.: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A
Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > ST Microelectronics Datasheet > IRF820
IRF820 спец.: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A
Производител : ST Microelectronics
Опаковка : TO-220
Pins : 3
Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 185 KB
Заявление : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A