Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > SP201
SP201 спец.: "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > SP201
SP201 спец.: "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
Производител : Polyfet RF
Опаковка :
Pins : 2
Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 37 KB
Заявление : "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"