Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > L8801P
L8801P спец.: 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8801P Datasheet и Spec
Производител : Polyfet RF
Опаковка : SO-8
Pins : 8
Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 43 KB
Заявление : 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8801P PDF Изтегли