Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > L88016
L88016 спец.: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L88016 Datasheet и Spec
Производител : Polyfet RF
Опаковка :
Pins : 4
Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 38 KB
Заявление : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L88016 PDF Изтегли