Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > SR401
SR401 спец.: 300 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
SR401 Подобна
- SR401
- 300 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
SR401 Datasheet и Spec
Производител : Polyfet RF
Опаковка :
Pins : 4
Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 40 KB
Заявление : 300 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
SR401 PDF Изтегли