SQ201 Подобна

  • SQ201
    • 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SQ202
    • 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SQ201 Datasheet и Spec

Производител : Polyfet RF 

Опаковка :  

Pins : 4 

Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 38 KB

Заявление : 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

SQ201 PDF Изтегли