SH703 Подобна

  • SH702
    • 90 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SH703
    • 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SH703 Datasheet и Spec

Производител : Polyfet RF 

Опаковка :  

Pins : 4 

Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 40 KB

Заявление : 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

SH703 PDF Изтегли