LX803 Подобна

  • LX802
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LX803
    • 45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LX803 Datasheet и Spec

Производител : Polyfet RF 

Опаковка :  

Pins : 2 

Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 58 KB

Заявление : 45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LX803 PDF Изтегли