Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > LQ821
LQ821 спец.: 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ821 Подобна
- LQ821
- 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ821 Datasheet и Spec
Производител : Polyfet RF
Опаковка :
Pins : 4
Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 38 KB
Заявление : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ821 PDF Изтегли