Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > LP801
LP801 спец.: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LP801 Datasheet и Spec
Производител : Polyfet RF
Опаковка :
Pins : 2
Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 38 KB
Заявление : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LP801 PDF Изтегли