LP721 Подобна

  • LP721
    • 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LP722
    • 35 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LP721 Datasheet и Spec

Производител : Polyfet RF 

Опаковка :  

Pins : 2 

Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 38 KB

Заявление : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LP721 PDF Изтегли