Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > LC801
LC801 спец.: 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC801 Подобна
- LC801
- 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC801 Datasheet и Spec
Производител : Polyfet RF
Опаковка :
Pins : 6
Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 40 KB
Заявление : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC801 PDF Изтегли