Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > L225
L225 спец.: 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 Подобна
- L225
- 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 Datasheet и Spec
Производител : Polyfet RF
Опаковка : SO-8
Pins : 8
Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 41 KB
Заявление : 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 PDF Изтегли