Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > L125
L125 спец.: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L125 Подобна
- L125
- 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L125 Datasheet и Spec
Производител : Polyfet RF
Опаковка : SO-8
Pins : 8
Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 41 KB
Заявление : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L125 PDF Изтегли