Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > F1018
F1018 спец.: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Polyfet RF Datasheet > F1018
F1018 спец.: Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производител : Polyfet RF
Опаковка :
Pins : 8
Температурата : Мин -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 41 KB
Заявление : Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor