Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Philips Datasheet > PHB7N60E
PHB7N60E спец.: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB7N60E Подобна
- PHB73N06T
- 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB78NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB78NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB7N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB7N60E Datasheet и Spec
Производител : Philips
Опаковка : SOT
Pins : 3
Температурата : Мин -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 100 KB
Заявление : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB7N60E PDF Изтегли