Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Philips Datasheet > PHB4N60E
PHB4N60E спец.: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB4N60E Подобна
- PHB42N03LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB42N03LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB42N03T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
- PHB44N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB44N06LT
- 55 V, trenchMOS transistor logic level FET
- PHB44N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB44N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB44N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB4N60E Datasheet и Spec
Производител : Philips
Опаковка : SOT
Pins : 3
Температурата : Мин -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 87 KB
Заявление : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB4N60E PDF Изтегли