Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Philips Datasheet > PHB3N50E
PHB3N50E спец.: 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB3N50E Подобна
- PHB34NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHB34NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHB36N06E
- 60 V, power MOS transistor
- PHB36N06E
- 60 V, power MOS transistor
- PHB37N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB37N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB37N06LT
- 55 V, trenchMOS transistor logic level FET
- PHB37N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB3N50E Datasheet и Spec
Производител : Philips
Опаковка : SOT
Pins : 3
Температурата : Мин -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 85 KB
Заявление : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB3N50E PDF Изтегли