Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Philips Datasheet > PHB3N40E
PHB3N40E спец.: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHB3N40E Подобна
- PHB34NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHB34NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHB36N06E
- 60 V, power MOS transistor
- PHB36N06E
- 60 V, power MOS transistor
- PHB37N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB37N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB37N06LT
- 55 V, trenchMOS transistor logic level FET
- PHB37N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB3N40E Datasheet и Spec
Производител : Philips
Опаковка : SOT404
Pins : 3
Температурата : Мин -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 103 KB
Заявление : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHB3N40E PDF Изтегли