PHX1N40E Подобна

  • PHX10N40E
    • PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
  • PHX10N40E
    • 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
  • PHX14NQ20T
    • 200 V, N-channel trenchMOS transistor
  • PHX15N06E
    • 60 V, power MOS transistor
  • PHX1N40
    • 400 V, power MOS transistor
  • PHX1N40E
    • 400 V, power MOS transistor
  • PHX1N60E
    • 600 V, power MOS transistor isolated version of PHP1N60E

PHX1N40E Datasheet и Spec

Производител : Philips 

Опаковка : SOT 

Pins : 3 

Температурата : Мин -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 26 KB

Заявление : 400 V, power MOS transistor 

PHX1N40E PDF Изтегли