Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE2114
NTE2114 спец.: "Integrated circuit. MOS, static 4K RAM, 300ns."
Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE2114
NTE2114 спец.: "Integrated circuit. MOS, static 4K RAM, 300ns."
Производител : NTE Electronic
Опаковка : DIP
Pins : 18
Температурата : Мин 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 31 KB
Заявление : "Integrated circuit. MOS, static 4K RAM, 300ns."