Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE2102
NTE2102 спец.: Integrated circuit. NMOS, 1K static RAM (SRAM), 35ns.
Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > NTE Electronic Datasheet > NTE2102
NTE2102 спец.: Integrated circuit. NMOS, 1K static RAM (SRAM), 35ns.
Производител : NTE Electronic
Опаковка : DIP
Pins : 16
Температурата : Мин 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 30 KB
Заявление : Integrated circuit. NMOS, 1K static RAM (SRAM), 35ns.