Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Motorola Datasheet > MTP12N10E
MTP12N10E спец.: TMOS E-FET power field effect transistor
MTP12N10E Подобна
- MTP10N10E
- TMOS IV power field effect transistor
- MTP10N10EL
- Logic level TMOS E-FET power field effect transistor
- MTP10N40E
- TMOS E-FET high energy power FET
- MTP12N10E
- TMOS E-FET power field effect transistor
- MTP12P10
- Power field effect transistor
- MTP1302
- HDTMOS E-FET high density power FET
- MTP1306
- HDTMOS E-FET high density power FET
- MTP1306
- HDTMOS E-FET high density power FET
MTP12N10E Datasheet и Spec
Производител : Motorola
Опаковка :
Pins : 4
Температурата : Мин -55 °C | Макс 170 °C
Размер : 262 KB
Заявление : TMOS E-FET power field effect transistor
MTP12N10E PDF Изтегли