Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Motorola Datasheet > MTB1N100E
MTB1N100E спец.: TMOS E-FET high energy power FET
MTB1N100E Datasheet и Spec
Производител : Motorola
Опаковка : DPAK
Pins : 4
Температурата : Мин -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 281 KB
Заявление : TMOS E-FET high energy power FET
MTB1N100E PDF Изтегли