Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Infineon Datasheet > HYB314100BJ-50
HYB314100BJ-50 спец.: 4M x 1bit DRAM
HYB314100BJ-50 Подобна
- HYB3116160BSJ-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-60
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116160BST-70
- 1M x 16bit EDO-DRAM
- HYB3116400BJ-50
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-60
- 4M x 4bit DRAM
- HYB3116400BJ-70
- 4M x 4bit EDO-DRAM
- HYB3116400BT-50
- 4M x 4bit DRAM
HYB314100BJ-50 Datasheet и Spec
Производител : Infineon
Опаковка : P-SOJ-26/20-5
Pins : 26
Температурата : Мин 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 1126 KB
Заявление : 4M x 1bit DRAM
HYB314100BJ-50 PDF Изтегли