IXBT42N170 Подобна

  • IXBT16N170
    • 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
  • IXBT40N140
    • 1400V high voltage BIMOSFET
  • IXBT40N160
    • 1600V high voltage BIMOSFET
  • IXBT40N160
    • 1600V high voltage BIMOSFET
  • IXBT40N160
    • 1600V high voltage BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
  • IXBT42N170
    • 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor

IXBT42N170 Datasheet и Spec

Производител : IXYS 

Опаковка : TO-268 

Pins : 3 

Температурата : Мин -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 54 KB

Заявление : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor 

IXBT42N170 PDF Изтегли