Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > GSI Datasheet > GS820E32T-4
GS820E32T-4 спец.: 117MHz 11ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
GS820E32T-4 Подобна
- GS82032AQ-133
- 133MHz 10ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-133I
- 133MHz 10ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-166
- 166MHz 8.5ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-166I
- 166MHz 8.5ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-180
- 180MHz 8ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-180I
- 180MHz 8ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-4
- 133MHz 10ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-4I
- 133MHz 10ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
GS820E32T-4 Datasheet и Spec
Производител : GSI
Опаковка : TQFP
Pins : 100
Температурата : Мин -40 °C | Макс 85 °C
Размер : 379 KB
Заявление : 117MHz 11ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
GS820E32T-4 PDF Изтегли