MTP4N50E Подобна

  • MTP40N10E
    • TMOS E-FET power field effect transistor
  • MTP4N40E
    • TMOS E-FET power field effect transistor
  • MTP4N50E
    • TMOS E-FET high energy power FET
  • MTP4N80E
    • TMOS E-FET power field effect transistor

MTP4N50E Datasheet и Spec

Производител : Motorola 

Опаковка :  

Pins : 4 

Температурата : Мин -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 279 KB

Заявление : TMOS E-FET high energy power FET 

MTP4N50E PDF Изтегли