Path:OKDatasheet > Полупроводникови Datasheet > Infineon Datasheet > HYB514100BJ-60
HYB514100BJ-60 спец.: 4M x 1bit DRAM
HYB514100BJ-60 Подобна
- HYB511000BJ-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJ-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB5116160BSJ-50
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-60
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-70
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116165BJ-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
HYB514100BJ-60 Datasheet и Spec
Производител : Infineon
Опаковка : P-SOJ-26/20-2 300 mi
Pins : 26
Температурата : Мин 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 118 KB
Заявление : 4M x 1bit DRAM
HYB514100BJ-60 PDF Изтегли